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昆明理工大学葛振华教授在Advanced Functional Materials上发表文章
发布时间:2019年05月21日 15:46:14  来源: 云南网
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  近日,昆明理工大学材料学院冯晶教授团队与南方科技大学何佳清教授团队以及美国宾州州立大学的刘梓葵教授团队合作,在n型硒化锡热电材料的研究中获得突破性进展,相关研究内容发表在国际著名期刊Advanced Functional Materials (IF=13.325)上,题为:Multipoint Defect Synergy Realizing the ExcellentThermoelectric Performance of n-Type PolycrystallineSnSe via Re Doping,材料学院葛振华教授为论文的第一作者,种晓宇博士为该论文的共同第一作者。文章链接

  硒化锡基热电材料,具有原料廉价,低毒环保,性能优异的有点。但长期以来硒化锡是本征p型的热电材料,n型硒化锡的发展比较缓慢。此前葛振华教授已经在JACS上发表了p型SnSe的重要工作。本次研究工作中,作者采用分步的多元素掺杂策略,将本征p型的硒化锡材料转变为n型,并且通过多点缺陷协同作用大幅提升了硒化锡基材料的热电性能。Sn0.97Re0.03Se0.93Cl0.02样品在798K取得最大的ZT值1.5,是n型硒化锡多晶热电材料目前的最高值。

  Advanced Functional Materials《先进功能材料》是德国wiley出版集团旗下材料领域的顶级期刊,主要关注材料科学、纳米科学、物理化学以及生物领域的突破性进展。(昆明理工大学党委宣传部)

责任编辑:王静姝
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